Các đặc điểm của pin mặt trời silicon đơn tinh thể:
1. Hiệu suất chuyển đổi quang điện cao và độ tin cậy cao;
2. Công nghệ khuếch tán tiên tiến để đảm bảo tính đồng nhất của hiệu quả chuyển đổi trong suốt bộ phim;
3. Sử dụng công nghệ tạo màng PECVD tiên tiến, bề mặt của pin được phủ một lớp màng chống phản xạ silicon nitride màu xanh đậm, và màu sắc đồng nhất và đẹp;
4. Áp dụng dán kim loại chất lượng cao để làm lại trường và điện cực để đảm bảo độ dẫn điện tốt.
Silic đa tinh thể có thể được sử dụng làm nguyên liệu để vẽ silicon đơn tinh thể, và sự khác biệt giữa silicon đa tinh thể và silicon đơn tinh thể chủ yếu được biểu hiện trong các tính chất vật lý. Ví dụ, về tính dị hướng của các tính chất cơ học, tính chất quang học và tính chất nhiệt, nó kém rõ rệt hơn nhiều so với silicon đơn tinh thể; về đặc tính điện, tinh thể silic đa tinh thể dẫn điện kém hơn nhiều so với silic đơn tinh thể, và thậm chí có ít độ dẫn. Về mặt hoạt động hóa học, sự khác biệt là tối thiểu. Có thể phân biệt silicon đa tinh thể và silicon đơn tinh thể với nhau về ngoại hình, nhưng xác định thực sự phải được xác định bằng cách phân tích hướng mặt phẳng tinh thể, loại độ dẫn điện và điện trở suất của tinh thể, nguồn cung ngắn và có triển vọng phát triển rộng. Bởi vì điều này, nhiều người nói rằng bất cứ ai làm chủ công nghệ polysilicon và vi điện tử sẽ làm chủ thế giới.
Silic đơn tinh thể và silic đa tinh thể cũng đóng một vai trò rất lớn trong việc sử dụng năng lượng mặt trời. Mặc dù hiện nay, để làm cho năng lượng mặt trời có một thị trường rộng lớn và được số lượng lớn người tiêu dùng chấp nhận, cần phải cải thiện hiệu suất chuyển đổi quang điện của pin mặt trời và giảm chi phí sản xuất. Từ quá trình phát triển hiện nay của pin mặt trời quốc tế, có thể thấy rằng xu hướng phát triển là silicon đơn tinh thể, silicon đa tinh thể, silicon ruy băng và vật liệu màng mỏng (bao gồm màng silicon vi tinh thể, màng dựa trên hợp chất và màng nhiên liệu).
Từ quan điểm của công nghiệp hóa, trọng tâm là sự phát triển của các tinh thể đơn thành polysilicon và màng mỏng. Những lý do chính là:
A. Có ngày càng ít vật liệu đầu và đuôi có sẵn cho pin mặt trời;
B. Đối với pin mặt trời, chất nền vuông có hiệu quả chi phí cao hơn và silic đa tinh thể thu được bằng phương pháp đúc và phương pháp hóa rắn trực tiếp có thể thu được trực tiếp vật liệu vuông;
C. Quá trình sản xuất silic đa tinh thể liên tục tiến triển. Lò đúc hoàn toàn tự động có thể sản xuất hơn 20 kg phôi silicon trong mỗi chu kỳ sản xuất (50 giờ) và kích thước của các hạt tinh thể đạt đến mức centimet;
D. Do nghiên cứu và phát triển quy trình chi phí trong mười năm qua, quy trình này cũng đã được áp dụng để sản xuất pin silicon đa tinh thể, chẳng hạn như lựa chọn các mối nối phát xạ ăn mòn, trường mặt sau, da lộn bị ăn mòn, bề mặt và thụ động số lượng lớn, lưới kim loại tốt. Điện cực, sử dụng công nghệ in lụa để giảm độ rộng của điện cực cổng xuống 50 micron, chiều cao hơn 15 micron, công nghệ ủ nhiệt nhanh được sử dụng trong sản xuất polysilicon để rút ngắn đáng kể thời gian xử lý, thời gian xử lý nhiệt đơn chip có thể trong vòng một phút Sau khi hoàn thành, hiệu suất chuyển đổi tế bào đạt được trên một tấm wafer silicon đa tinh thể 100 cm vuông sử dụng quá trình này vượt quá 14%. Theo báo cáo, hiệu quả hiện tại của các tế bào được chế tạo trên chất nền silic đa tinh thể 50-60 micron vượt quá 16%. Sử dụng rãnh hành khách cơ học và công nghệ in lụa, hiệu suất đạt trên 17% trên 100 cm vuông của đa tinh thể, và hiệu quả của khắc cơ học là 16% trên cùng một khu vực. Cấu trúc cổng chôn được sử dụng, và rãnh cơ học nằm trên khối đa tinh thể 130 cm vuông. Hiệu suất pin đạt 15,8%.
(1) Pin mặt trời silicon đơn tinh thể
Hiện tại, hiệu suất chuyển đổi quang điện của pin mặt trời silicon đơn tinh thể là khoảng 17%, và cao nhất là 24%. Đây là hiệu suất chuyển đổi quang điện cao nhất trong số tất cả các loại pin mặt trời, nhưng chi phí sản xuất lớn đến mức không thể sử dụng rộng rãi. Và thường được sử dụng. Vì silicon đơn tinh thể thường được đóng gói trong kính cường lực và nhựa chống thấm, nên nó bền và có tuổi thọ lên đến 25 năm.
(2) Pin mặt trời đa tinh thể silic
Quy trình sản xuất pin mặt trời silicon đa tinh thể tương tự như pin silicon đơn tinh thể, nhưng hiệu suất chuyển đổi quang điện của pin mặt trời silicon đa tinh thể thấp hơn nhiều, và hiệu suất chuyển đổi quang điện là khoảng 15%. Về chi phí sản xuất, nó rẻ hơn pin mặt trời silicon đơn tinh thể, vật liệu đơn giản để sản xuất, điểm tiết kiệm là tốt, và tổng chi phí thấp, vì vậy nó đã được phát triển rất nhiều. Ngoài ra, tuổi thọ của pin mặt trời silicon đa tinh thể cũng tốt hơn so với năng lượng mặt trời silicon đơn tinh thể. Pin ngắn. Về hiệu suất và tỷ lệ giá, pin mặt trời silicon đơn tinh thể tốt hơn một chút.
(3) Pin mặt trời silicon không đơn tinh thể (pin mặt trời loại màng mỏng)
Pin mặt trời silicon không đơn tinh thể là pin mặt trời màng mỏng mới xuất hiện vào năm 1976. Chúng hoàn toàn khác biệt với pin mặt trời silicon đơn tinh thể và silicon đa tinh thể. Quá trình này được đơn giản hóa rất nhiều, tiêu thụ vật liệu silicon nhỏ, và tiêu thụ điện năng thấp hơn. Ưu điểm chính là nó cũng có thể tạo ra điện trong điều kiện ánh sáng yếu. Tuy nhiên, vấn đề chính của pin mặt trời silic vô định hình là hiệu suất chuyển đổi quang điện thấp. Hiện tại, trình độ tiên tiến quốc tế là khoảng 10%, và nó không đủ ổn định. Khi thời gian trôi qua, hiệu quả chuyển đổi bị suy giảm.