Hiệu suất của pin mặt trời dị hợp loại P cơ sở dài được pha tạp với gali là 26,12 phần trăm
Kết quả đã được xác nhận bởi Viện Nghiên cứu Năng lượng Mặt trời (ISFH) ở Hamelin, Đức, trên pin mặt trời dị thể dựa trên các tấm mỏng M6.
Nhà sản xuất mô-đun quang điện Trung Quốc Longji đã thông báo rằng pin mặt trời dị thể loại P (HJT) dựa trên wafer M6 của họ đã đạt được hiệu suất chuyển đổi năng lượng là 26,12 phần trăm .
Điện áp mạch hở của tế bào là 750,2 mV, dòng điện ngắn mạch là 11.271 mA và hệ số lấp đầy là 84,76 phần trăm . Kết quả đã được xác nhận bởi Viện Nghiên cứu Năng lượng Mặt trời (ISFH) ở Hamelin, Đức.
Vào tháng 3, LongI đã đạt được hiệu suất 25,47% trên cùng loại pin mặt trời. Công ty cho biết việc tăng hiệu suất là do những cải tiến trong quy trình thụ động, nhưng không cung cấp thêm thông tin chi tiết.
Nhà sản xuất Trung Quốc cũng đạt được hiệu suất 26,5% đối với tế bào dị hợp loại N vào tháng 6 và điểm số 25,19% đối với pin mặt trời TOPCon loại P vào tháng 7 năm 2021. Vào tháng 6 năm 2021, công ty đã ghi nhận mức hiệu suất là 25,21% cho một Loại N thiết bị TOPCon.
Bởi vì chúng tôi là đối tác rất tốt với Longi, tất cả các sản phẩm năng lượng mặt trời của chúng tôi đều sử dụng tấm pin mặt trời Longi
Nhân tiện, năm nay chúng tôi đã hoàn thành một dự án tuyệt vời, World Cup 2022 tại Qatar, với 616 tháp đèn năng lượng mặt trời.
Nếu bạn có bất kỳ quan tâm xin vui lòng liên hệ với chúng tôi càng sớm càng tốt.